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多晶硅母合金掺杂原理
多晶硅母合金掺杂原理
铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台
因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律，本文研究结论主要如 2012年8月29日 所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金，常用的母合金有硅磷和硅硼两种，杂质浓度是10的2次方和10的3次方。 采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。母合金 产品介绍合能阳光（中国）公司首先采用熔炼法和球磨成形法制备出了SiB母合金，并分别对母合金的物相、结构及形貌进行分析，研究发现球磨成形法为制备SiB母合金的最佳工艺。多晶硅溅射靶材用SiB母合金的制备研究学位万方数据知识 2024年12月29日 直接掺杂是指将所需杂质单质按剂量直接加入到坩埚的多品硅中,这种方法适用于制备重掺杂的硅锭。 母合金掺杂是指将杂质元素先制成硅的合金,如磷硅合金、硼硅合金,然 【集成电路制造与封测】第二章 硅片的制造，气相外延
掺杂计算理论与实践 百度文库
硅单晶P型掺杂剂：三族元素，主要有硼、铝、镓 拉制电阻率低的硅单晶，一般用纯元素作掺杂剂 拉制电阻率高的硅单晶则采用母合金作为掺杂剂2013年1月21日 内容提示： 母合金计算公式 应掺母合金重量为 M =W*C 头/ K* C 母—C 头 其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数 W——–为多晶硅原料的重量 C 头—为头部对应 母合金的计算方法 道客巴巴多晶硅是光伏产业和电子工业的重要基础材料,其电学性能的好坏直接影响使用效率在实际应用中,多晶硅材料除了纯度要求外,对电阻率和少子寿命等电学性能的调控也非常重要,而电学性能的 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究 百度学术2022年4月20日 多晶硅靶材是一种重要的溅射靶材资料，运用磁控溅射办法制备SiO2等薄膜层，可以使基体资料具有更好的光学、介电及抗蚀性能，被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。,靶材合金靶材溅射靶材北京瑞弛什么是多晶硅溅射靶材 靶材合金靶材溅射靶材
一种硅片母合金的制备方法 X技术网
CN97公开了一种利用多晶硅铸造炉生产母合金的方法，该方法采用多晶硅铸造的方法，对硅料和掺杂剂依次进行抽真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却环节，来生产母合金硅 2020年12月13日 多晶硅需要离子重掺杂以降低电阻系数，这可以通过在沉积过程中使用临场掺杂方式将硅的反应气体和掺杂物气体一同引入CVD反应器中，或者利用高电流多晶硅掺杂离子注 半导体行业（九十二）——离子注入（十二）多晶硅2022年9月26日 根据杂质元素在与Si原子形成共价连接时是导致体系内电子的增加还是空穴的增加，可将掺杂杂质进一步细分为施主(donor，提供多余电子，又叫n型掺杂，如磷、砷、锑等)和受主(acceptor，提供多余空穴，又叫p型掺 认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂 知乎2012年8月1日 技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内 母合金掺杂及补掺装置的制作方法
铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究
目前，对于冶金法提纯多晶硅的研究较多，但是对多晶硅铸锭中有意掺杂施主或受主杂质，掺杂元素补偿效应对电学性能影响的研究很少。 因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线 因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律，本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台2023年3月29日 19本发明以磷化锌作为掺杂剂制备得到掺磷硅母合金。20在掺磷硅母合金的制备过程中，采用双温区水平炉，在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料， 掺磷硅母合金的制备方法与流程 X技术网杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中 直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库
直拉单晶硅工艺技术（第二版） 百度百科
《直拉单晶硅工艺技术（第二版）》是2017年8月化学工业出版社出版的图书，作者是郭宇。本书主要内容包括单晶炉的基本知识、直拉单晶炉、直拉单晶炉的热系统及热场、晶体生长控制器、原辅材料的准备、直拉单晶硅生长技术 2013年1月21日 母合金计算公式应掺母合金重量为M=W*C头/ K* C母—C头 其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数W——–为多晶硅原料的重量C头—为头部对应的的杂质浓度C 母合金的计算方法 道客巴巴2022年4月20日 铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业界 P 型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在 0025% 左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决议，电阻率最优值 什么是多晶硅溅射靶材 靶材合金靶材溅射靶材母合金掺杂的计算方法 Quality Assurance 电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重 量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K*C 掺杂计算理论与实践 百度文库
直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库
（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应的加入母合金量。 （3）中子辐照掺杂（NTD）按上述两种掺杂方式掺杂，由于 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ1，对应的杂质浓度CH， 直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库2021年6月18日 本发明涉及单晶炉技术领域，特别是涉及一种掺杂装置、母合金制备装置及方法。背景技术随着新能源技术的迅速发展，光伏电池的研发越来越受到人们的重视。硅棒是光伏电池中的重要组成部分。目前在生产硅棒 一种掺杂装置、母合金制备装置及方法与流程使用 N 型母合金的主要是掺杂时发现低阻了，为了能够让产品电阻率达到使用要求,添加一些 N 型 母 合金。从原则上说,这是一种违规操作,硅棒尾部将会出现反翘,尾部电阻会比头部高 母合金的计算方法百度文库
直拉单晶硅的制备掺杂讲课讲稿 百度文库
按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。 (1)元素掺杂 即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102~103Qcm的重掺 杂硅单晶。 (2)母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金( 杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中 直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库2015年5月30日 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究 赵发展海潮和（中国科学院微电子研究所北京） 摘要：利用LPCVD（ LPCVD原位掺杂多晶硅探究 豆丁网多晶硅的安装注意点 c 掺杂 （确认与工艺单上一致） 3） 籽晶与熔硅的熔接 a 温度的稳定（装料量越大，所需时间越长） b 籽晶的预热（减少籽晶与熔体的温度差，从而减少籽晶中产生 的 拉晶教程 百度文库
直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc
2022年3月7日 12、合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率 2013年1月15日 多晶硅薄膜由许多小晶粒组成，这些晶粒尺 寸不同、内部原子排列不同，因此每个晶粒的晶向 也不同。2个晶粒之间的区域称为晶界，这些晶 界存在悬挂键和缺陷，能俘获载 LPCVD 制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析2021年10月11日 直拉单晶硅的制备 硅、锗等单晶制备，就是要实现由多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列； 由不对称结构转变为对称结构。但这种转变不是 直拉单晶硅的制备掺杂 豆丁网2017年12月1日 太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇中国光伏产业经历了风风雨雨几十年，无论是技术，还是成本都经历了翻天覆地的变化，随着市场对于高效率太阳能电池的需求， 太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇北极星太阳能光伏网
多晶硅溅射靶材用SiB母合金的制备研究学位万方数据知识
（4）采用球磨成形法制备的SiB母合金进行掺杂试验，以获得目标电阻率为0010Ωcm的多晶硅锭靶材，结果表明采用含B量50%、球磨9h的SiB母合金进行掺杂制备的多晶硅锭较其他硅锭 2015年11月21日 常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方 直拉单晶硅的制备 掺杂 豆丁网2021年11月29日 常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是 直拉单晶硅的制备掺杂N++重掺磷硅单晶的拉制工艺众所周知，N 型电池是制作高效太阳电池的未来之星，我们应大力开发研 究和生产太阳电池级 N 型硅片，而拉制 N 型硅单晶需有 N++重掺磷硅单晶 （此时可称 N++重掺磷硅单晶的拉制工艺 百度文库
直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置的制作方法
2010年7月28日 母合金掺杂法把掺杂剂和多晶硅料制成母合金，根据母合金中掺杂剂的含量和 目标电阻率的要求，计算母合金的用量；把母合金和多晶硅料同时放入石英坩埚中熔化。 该 方 2021年12月24日 常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。2采用中间合金母合金掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或错单晶时掺入母合金质量的计算：假设掺入方式是掺入中 直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc2022年2月16日 并且，掺杂该种硅硼母合金制备的多晶硅靶材，较制备的多晶硅靶材具有产品出成率高，电阻率分布均匀等特点。362、本发明提供的溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法， 一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法 X技术网母合金 拉制一定型号和电阻率的硅单晶，要选用适当的惨杂 剂。五族元素常用作单晶硅N型掺杂剂，主要有磷、 砷、锑。三族元素常用作单晶硅P型掺杂剂，主要有 硼、铝、镓。 所谓母合金 3单晶硅制备工艺解析百度文库
认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂 知乎
2022年9月26日 根据杂质元素在与Si原子形成共价连接时是导致体系内电子的增加还是空穴的增加，可将掺杂杂质进一步细分为施主(donor，提供多余电子，又叫n型掺杂，如磷、砷、锑等)和受主(acceptor，提供多余空穴，又叫p型掺 2012年8月1日 技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内 母合金掺杂及补掺装置的制作方法目前，对于冶金法提纯多晶硅的研究较多，但是对多晶硅铸锭中有意掺杂施主或受主杂质，掺杂元素补偿效应对电学性能影响的研究很少。 因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究 因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律，本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台
掺磷硅母合金的制备方法与流程 X技术网
2023年3月29日 19本发明以磷化锌作为掺杂剂制备得到掺磷硅母合金。20在掺磷硅母合金的制备过程中，采用双温区水平炉，在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料， 杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中 直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库《直拉单晶硅工艺技术（第二版）》是2017年8月化学工业出版社出版的图书，作者是郭宇。本书主要内容包括单晶炉的基本知识、直拉单晶炉、直拉单晶炉的热系统及热场、晶体生长控制器、原辅材料的准备、直拉单晶硅生长技术 直拉单晶硅工艺技术（第二版） 百度百科2013年1月21日 母合金计算公式应掺母合金重量为M=W*C头/ K* C母—C头 其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数W——–为多晶硅原料的重量C头—为头部对应的的杂质浓度C 母合金的计算方法 道客巴巴
什么是多晶硅溅射靶材 靶材合金靶材溅射靶材
2022年4月20日 铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业界 P 型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在 0025% 左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决议，电阻率最优值 母合金掺杂的计算方法 Quality Assurance 电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重 量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K*C 掺杂计算理论与实践 百度文库